第三百七十四章 苹果高通被气吐血（第三更）

    第三百七十四章 苹果高通被气吐血（第三更） (第1/3页)

    （求月票，推荐票哇！）

    发布会现场，肖俊登上高台。

    顿时，无数的长枪短炮都是对准肖俊，咔嚓咔嚓的拍个不停。

    “各位，大家下午好，我是银河科技公司的董事长肖俊。今天，我们公司的产品发布会是发布一款第三代手机芯片。它依旧是银河系列——银河-T3芯片！”

    “但是它和以往的两款芯片不一样，它是一种全新的手机芯片，没错，它就是采用全新的材料，抛弃了落后的硅晶材料，而是使用石墨烯材料。它就是石墨烯芯片！”肖俊高声道。

    这句话一出，全场哗然！

    “什么？石墨烯芯片？我的天！这么说这个银河-T3芯片真的是让人眼前一亮啊。难道说银河科技公司的石墨烯技术已经达到了成熟的地步，可以生产出20纳米以下的石墨烯半导体了？”一个记者震惊的道。

    “大家都知道，石墨烯未来是半导体行业的最佳材料之一。硅晶材料已经差不多走到了巅峰和尽头了。所以我们银河科技公司开创了首代石墨烯半导体技术！”

    “石墨烯因其超薄结构以及优异的物理特性，在 FET 应用上展现出了优异的性能和诱人的应用前景。与碳纳米管相比，石墨烯 FET 等所制备的栅宽 10nm 以下的石墨烯带 FET 的开关比达  等采用热蒸发 4H-SiC 外延生长的石墨烯制备的 FET，其电子和空穴迁移率分别为 5，400 和 4，400cm2/(V·s)，比传统半导体材料如 SiC 和 Si 高很多﹔Lin 等制备出栅长为 350nm 的高性能石墨烯 FET，其载流子迁移率为 2700 cm2/(V·s)！”

    “石墨烯具有极其优异的电学、光学、磁学、热学和力学性能，是理想的纳电子和光电子材料。不但具有极佳的导电性能，其热导率也远超已知的最好的热导体，基于石墨烯结构的电子器件可以有非常好的高频响应，对于弹道输运的晶体管其工作频率有望超过 THz，性能优于所有已知的半导体

    （本章未完，请点击下一页继续阅读）